طراحی و ساخت حسگر مغناطیسی اثر هال با نیمه هادی گالیوم آرسناید ‏‎gaas‎‏ به روش ‏‎mbe‎‏

thesis
abstract

هدف از این پایان نامه طراحی و ساخت یک حسگر مغناطیسی اثر هال با استفاده از نیمه هادی گلایوم آرسناید با روش رشد رونشستی پرتوهای مولکولی mbe می باشد. اثر هال یک خاصیت فیزیکی مواد می باشد که در مواد حامل جریان الکتریکی هنگامی که تحت تاثیر میدان مغناطیسی قرار می گیرند به وجود می آید. در این خاصیت یک ولتاژ الکتریکی در دو سر ماده تولید می شود که این ولتاژ متناسب با حاصلضرب چگالی الکتریکی و میدان مغناطیسی می باشد و در صورتیکه جریان الکتریکی عبوریاز ماده ثابت باشد این ولتاژ متناسب با میدان مغناطیسی خواهد شد. مقدار این ولتاژ در موادی که دارای قابلیت تحرک حامل بالایی هستند بیشتر می باشد به این دلیل ما از نیمه هادی گالیوم آرسناید برای ساخت این حسگر استفاده کرده ایم همچنین این نیمه هادی در محدوده دمایی 50 - تا 150 درجه سانتی گراد دارای پایداری حرارتی خوبی می باشد و از نقطه نظر تکنولوژیکی نیز نسبت به دیگر نیمه هادی های همچون ‏‎inas‎‏ و ‏‎insb‎‏ که دارای قابلیت تحرک حامل بالایی می باشند در صدر قرار دارند. برای رشد لایه گالیوم آرسناید از روش رونشستی پرتوهای مولکولی mbe استفاده شده است . در این روش تحت خلا بسیار بالای ‏‎10-7 torr‎‏ پرتوهای مولکولی عناصر گالیوم آرسناید و ناخالصی نوع ‏‎n‎‏ سیلیسیوم بر روی سطح زیر لایه داغ کریستالی گالیوم آرسناید با جهت کریستالی (001) نشانده شده است. دو نوع لایه گالیوم آرسناید با غلظت الکترونهای ‏‎n‎‏ و قابلیت تحرک الکترون متفاوت رشد داده شده است. در لایه اول به نام ‏‎l22‎‏ غلظت الکترونها 17 10 * 67/5 در سانتی متر مکعب و قابلیت تحرک الکترونهای ‏‎3274 cm2 /v.s‎‏ میباشد و در لایه دوم ‏‎l32‎‏ غلظت الکترونها 16 10 *2 در سانتی متر مکعب و قابلیت تحرک الکترونهای ‏‎5624 cm2/ v.s‎‏ میباشد. در لایه دوم مقداری ایندوم اضافه شده است که باعث بهبود قابلیت تحرک الکترونها شده است. این دو لایه به دو روش، مشخصه نگاری شده است و پارامترهای ‏‎n,t,u,p‎‏ آنها اندازه گیری شده است روشهای مشخصه نگاری شامل دو روش اندازه گیری اثر هال و روش الکتروشیمیایی‏‎ecv‎‏ می باشد. لایه گالیوم آرسناید روشد داده شده به فرم چهار پر ‏‎clover leaf‎‏ شکل داده شده و برای ساخت حسگر مورد استفاده قرار گرفته است. برای ایجاد کنتاکت های الکتریکی بر روی لایه گالیوم آرسناید از قلع استفاده شد و این فلز را تحت گاز ‏‎hcl‎‏ به روش ‏‎sintering‎‏ وارد لایه گالیوم آرسناید نمودیم و در نهایت حساسیت جریانی ‏‎si‎‏ حسگرها مورد اندازه گیری قرار گرفت که دو مقدار ‏‎7/3a/vt‎‏ و ‏‎312a/vt‎‏ به ترتیب برای دو حسگر بدست آورده شده است. از کاربردهای عمده این حسگرها می توان به آشکار سازهای میدان مغناطیسی و ترانزدیوسر ضبط و پخش اطلاعات و اندازه گیری میدان مغناطیسی و اندازه گیری جریان و توان الکتریکی می توان اشاره کرد.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید (gaas)، به روش mbe

هدف از این پایان نامه طراحی و رشد سلول خورشیدی با ساختار pn با نیمه هادی گالیم آرسناید، به روش رونشستی پرتو مولکولی (mbe) می باشد. اساس تولید انرژی الکتریکی در سلول های خورشیدی، پدیده فتوولتائیک است که طی آن در یک دیود pn براثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. دلیل استفاده از دیود pn این است که برای تبدیل نور به انرژی الکتریکی لازم است الکترون ها و حفره های تولید شده توسط نور، از یکدیگر ج...

15 صفحه اول

اندازه گیری ثابت هال در نیمرسانای گالیوم آرسناید آلاییده با Cr و Fe مورد استفاده در ساخت سنسورهای پیشرفته

گالیوم آرسناید ترکیبی از عنصرهای گروه‌های III-V جدول تناوبی عناصر است. گالیوم آرسناید در ساختاری بلوری مشهور به الماس گونه متبلور می‌شود. این ساختار به ساختار شبکه‌ی بلوری الماس بسیار شبیه است، اما در الماس فقط یک نوع اتم (کربن) وجود دارد در حالی که در این ماده هر موضع اتمی به تناوب توسط یکی از اتم‌های آرسنیک یا گالیوم اشغال می‌شود. از این نیمرسانای استفاده‌ی گسترده‌ای در تکنولوژی و ساخت قطعات ...

full text

مقایسه تأثیر وضعیت طاق باز و دمر بر وضعیت تنفسی نوزادان نارس مبتلا به سندرم دیسترس تنفسی حاد تحت درمان با پروتکل Insure

کچ ی هد پ ی ش مز ی هن ه و فد : ساسا د مردنس رد نامرد ي سفنت سرتس ي ظنت نادازون داح ي سکا لدابت م ي و نژ د ي سکا ي د هدوب نبرک تسا طسوت هک کبس اـه ي ناـمرد ي فلتخم ي هلمجزا لکتورپ INSURE ماجنا م ي دوش ا اذل . ي هعلاطم ن فدهاب اقم ي هس عضو ي ت اه ي ندب ي عضو رب رمد و زاب قاط ي سفنت ت ي هـب لاتـبم سراـن نادازون ردنس د م ي سفنت سرتس ي لکتورپ اب نامرد تحت داح INSURE ماجنا درگ ...

full text

طراحی و ساخت دیود گان از جنس gaas به روش mbe

دیود گان یکی از مهمترین ادوات نیمه هادی مایکروویو محسوب می شود که برای تولید و تقویت توان در محدوده پایین و متوسط، و فرکانس ighz تا بیش از 100ghz بکار گرفته می شود ویژگی های مثبت باعث استفاده گسترده از آن در نواحی مدارهای مایکروویو برای کاربردهای گوناگون شده است. این دیودها از نیمه هادی معدودی مانند inp, gaas و gan با ساختار باند انرژی ویژه قابل ساختند و روش های مختلف رونشانی برای ساخت آن ها ...

15 صفحه اول

خواص مغناطیسی نانولوله گالیوم آرسناید زیگزاگ (0,9) آلایش‌یافته با عناصر واسطه

of 3d transition metals (Sc, Ti, Cr, Mn , Fe, Co, Ni) in both far and close situations were studied based on spin polarised density functional theory using the generalized gradient approximation (LDA) with SIESTA code. The electronic structures show that zigzag (0,9) GaAs nanotubes are non-magnetic semiconductors with direct band gap. It was revealed that doping of 11.11 % Fe and Mn concentrati...

full text

طراحی و ساخت یک لیزر نیمه هادی کوک پذیر با پهنای خط کمتر از 0.003آنگستروم

  In this paper we explain in detail the design of a semiconductor laser coupled with the reflected beams from a grating. Since the beams reflected are diffracted at different angles, only one component of them can be resonated in the cavity. This technique reduces the output frequency of the laser and increases its stability.   Since this system has various applications in the spectroscopy, ga...

full text

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه علم و صنعت ایران

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023